TN2540N8-G
N-channel enhancement-mode vertical dmos fet
|
Версия для печати
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 400 |
| RDS(ON) 4.5 В,мОм | 8000 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 8000 |
| ID,А | 0.75 |
| PWT,Вт | 1.6 |
| Корпус | SOT-89 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
TN2540N8-G (MOSFET) N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BH1060 ОДНА БАТАРЕЯ CR2032 | 1 815 | 24.26 | ||||||
| BH1060 ОДНА БАТАРЕЯ CR2032 | RUICHI | 141 | 41.72 | |||||
| BSS89 | INFINEON |
|
|
|||||
| BSS89 |
|
|
||||||
| BYV26A | PHILIPS |
|
|
|||||
| BYV26A |
|
24.00 | ||||||
| BYV26A | PHILIPS | 8 308 |
|
|||||
| SBK321611T-601Y-S | CHILISIN ELECTRONICS |
|
|
|||||
| SBK321611T-601Y-S | CHILISIN ELECTRONICS |
|
|
|||||
| TLP126TPL[F] |
|
Оптрон 1xCh 3,75kV Uceo=80V If= 50mA CTR>100% | TOSHIBA |
|
|
|||
| TLP126TPL[F] |
|
Оптрон 1xCh 3,75kV Uceo=80V If= 50mA CTR>100% | TOS |
|
|
|||
| TLP126TPL[F] |
|
Оптрон 1xCh 3,75kV Uceo=80V If= 50mA CTR>100% |
|
116.00 |
