V12P10


Купить V12P10 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
V12P10 Сильноточный trench mos ограничительный диод... Сильноточный trench mos ограничительный диод шотки в корпусе для поверхностного монтажа
  • Trench MOS диод Шотки
  • Низкопрофильный корпус - типовая высота 1.1 мм
  • Идеален для автоматического позиционирования на печатной плате
  • Малое падение прямого напряжения, малая потеря мощности
  • Высокая эффективность
  • Температура при пайки на выводах 260°C, в соответствии MSL level 1, J-STD-020
  • Бессвинцовая технология
  • Не содержит галогенов
Версия для печати

Технические характеристики V12P10

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If700mV @ 12A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100V
Current - Average Rectified (Io)12A
Current - Reverse Leakage @ Vr250µA @ 100V
Diode TypeSchottky
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-277, 3-PowerDFN
КорпусTO-277A
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

V12P10 (Диоды Шоттки)

Сильноточный Trench MOS ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа

Производитель:
Vishay

V12P10 datasheet
106.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход