V8P10

Сильноточный trench mos ограничительный диод шотки в корпусе для поверхностного монтажа

Trench MOS диод Шотки
Низкопрофильный корпус - типовая высота 1.1 мм
Идеален для автоматического позиционирования на печатной плате
Низкое падение прямого напряжения, малая потеря мощности
Высокая эффективность
Максимальная температура при пайки на выводах 260°C, в соответствии SL level 1, J-STD-020
Бессвинцовая технология
Не содержит галогенов

Версия для печати

Технические характеристики V8P10

Серия	eSMP™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	680mV @ 8A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Current - Average Rectified (Io)	8A
Current - Reverse Leakage @ Vr	70µA @ 100V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-277, 3-PowerDFN
Корпус	TO-277A

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

V8P10 (Диоды Шоттки)

Сильноточный Trench MOS ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа

Производитель:
Vishay

V8P10 datasheet
106.8 Кб