VB20120S


Купить VB20120S ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
VB20120S Высоковольтный trench mos ограничительный диод... Высоковольтный trench mos ограничительный диод шотки
  • Trench MOS диод Шотки
  • Низкое падение прямого напряжения, малая потеря мощности
  • Высокая эффективность
  • Выдерживает пайку при температуре 260°C в течение 40 сек
  • Бессвинцовая технология
Версия для печати

Технические характеристики VB20120S

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)120V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.12V @ 20A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr300µA @ 120V
Diode TypeSchottky
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусTO-263AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

VB20120S (Диоды Шоттки)

Высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки

Производитель:
Vishay

VB20120S datasheet
162.1 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход