ZXM62N02E6

Версия для печати

Технические характеристики ZXM62N02E6

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	460pF @ 15V
Power - Max	1.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-23-6
Корпус	SOT-23-6

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZXM62N02E6 (MOSFET)

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Zetex

ZXM62N02E6 datasheet
180.8 Кб