ZXM62P02E6

Версия для печати

Технические характеристики ZXM62P02E6

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	320pF @ 15V
Power - Max	1.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-23-6
Корпус	SOT-23-6

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZXM62P02E6 (MOSFET)

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Zetex

ZXM62P02E6 datasheet
172.4 Кб