ZXM66P02N8

Версия для печати

Технические характеристики ZXM66P02N8

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	43.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2068pF @ 15V
Power - Max	1.56W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZXM66P02N8 (MOSFET)

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Zetex

ZXM66P02N8 datasheet
56 Кб