ZXMN10A08G

Версия для печати

Технические характеристики ZXMN10A08G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 3.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	405pF @ 50V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZXMN10A08G (MOSFET)

100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET

Производитель:
Zetex

ZXMN10A08G datasheet
435.4 Кб