ZXMN10B08E6

Версия для печати

Технические характеристики ZXMN10B08E6

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 1.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	497pF @ 50V
Power - Max	1.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-23-6
Корпус	SOT-23-6

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZXMN10B08E6 (MOSFET)

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Zetex

ZXMN10B08E6 datasheet
194.4 Кб