ZXMN2A01E6

Версия для печати

Технические характеристики ZXMN2A01E6

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	303pF @ 15V
Power - Max	1.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-23-6
Корпус	SOT-23-6

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZXMN2A01E6 (MOSFET)

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Zetex

ZXMN2A01E6 datasheet
193.5 Кб