ZXMN2A02N8

Версия для печати

Технические характеристики ZXMN2A02N8

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 11A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1900pF @ 10V
Power - Max	1.56W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZXMN2A02N8 (MOSFET)

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Zetex

ZXMN2A02N8 datasheet
153.3 Кб