ZXMN3A02N8

Версия для печати

Технические характеристики ZXMN3A02N8

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 25V
Power - Max	1.56W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZXMN3A02N8 (MOSFET)

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Zetex

ZXMN3A02N8 datasheet
174.7 Кб