ZXMN3A03E6


30v n-channel enhancement mode mosfet

Купить ZXMN3A03E6 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
ZXMN3A03E6
Версия для печати

Технические характеристики ZXMN3A03E6

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 7.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.7A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs12.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds600pF @ 25V
Power - Max1.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-23-6
КорпусSOT-23-6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZXMN3A03E6 (MOSFET)

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Zetex

ZXMN3A03E6 datasheet
185.2 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход