ZXMN3B01F


30v n-channel enhancement mode mosfet 2.5v gate drive

Купить ZXMN3B01F ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
ZXMN3B01F
Версия для печати

Технические характеристики ZXMN3B01F

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs150 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.7A
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs2.93nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds258pF @ 15V
Power - Max625mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZXMN3B01F (MOSFET)

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE

Производитель:
Zetex

ZXMN3B01F datasheet
463.6 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход