ZXMN6A08E6


60v n-channel enhancement mode mosfet

Купить ZXMN6A08E6 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
ZXMN6A08E6
Версия для печати

Технические характеристики ZXMN6A08E6

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs80 mOhm @ 4.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.8A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs5.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds459pF @ 40V
Power - Max1.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-23-6
КорпусSOT-23-6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZXMN6A08E6 (MOSFET)

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Zetex

ZXMN6A08E6 datasheet
465.2 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход