ZXMN6A11DN8
60v so8 dual n-channel enhancement mode mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 330pF @ 40V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
ZXMN6A11DN8 (MOSFET) 60V SO8 Dual N-channel enhancement mode MOSFET
Производитель:
|
