A63L0618

Версия для печати

Технические характеристики A63L0618

Организация: Слов,K	1024
Организация: Разрядов,бит	18
Время выборки,нс	2.6
Ток потребления: ICC,мА	400
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА	2
VCC,В	от 3.1 до 3.5
TA,°C	от -25 до 85
Корпус	LQFP-100

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

A63L0618 (High Speed SRAM)

Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18

Производитель:
AMIC Technology

A63L0618 datasheet
238.1 Кб