BS616LV2016


Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2мб

Купить BS616LV2016 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BS616LV2016
Версия для печати

Технические характеристики BS616LV2016

Организация: Слов,K128
Организация: Разрядов,бит16
Время выборки,нс55
Ток потребления: ICC,мА62
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА20
VCC,Вот 2.4 до 5.5
TA,°Cот -40 до 85
КорпусBGA-48
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BS616LV2016 (Low Power SRAM)

Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб

Производитель:
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI)

BS616LV2016 datasheet
205.4 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход