BS616LV2019


Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2мб

Купить BS616LV2019 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BS616LV2019
Версия для печати

Технические характеристики BS616LV2019

Организация: Слов,K128
Организация: Разрядов,бит16
Время выборки,нс55
Ток потребления: ICC,мА25
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА5
VCC,Вот 2.4 до 3.6
TA,°Cот -40 до 85
КорпусTSOPI-48
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BS616LV2019 (Low Power SRAM)

Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб

Производитель:
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI)

BS616LV2019 datasheet
166.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход