BS616UV2019


Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2мб

Купить BS616UV2019 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BS616UV2019
Версия для печати

Технические характеристики BS616UV2019

Организация: Слов,K128
Организация: Разрядов,бит16
Время выборки,нс85
Ток потребления: ICC,мА13
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА5
VCC,Вот 1.9 до 3.6
TA,°Cот -40 до 85
КорпусTSOPI-48
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BS616UV2019 (Low Power SRAM)

Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб

Производитель:
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI)

BS616UV2019 datasheet
168.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход