DS1250Y

Версия для печати

Технические характеристики DS1250Y

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Формат памяти	RAM
Тип памяти	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Объем памяти	4M (512K x 8)
Скорость	100ns
Интерфейс подключения	Parallel
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Корпус (размер)	32-DIP Module (600 mil), 32-EDIP
Корпус	32-EDIP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DS1250Y (NVSRAM)

Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб

Производитель:
Maxim

DS1250Y datasheet
294.3 Кб