DS1251W

Версия для печати

Технические характеристики DS1251W

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Тип	Phantom Time Chip
Возможности	Leap Year, NVSRAM
Объем памяти	512KB
Формат времени	HH:MM:SS:hh (12/24 hr)
Формат даты	YY-MM-DD-dd
Интерфейс подключения	Parallel
Напряжение питания	2.97 V ~ 3.63 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	32-DIP Module (600 mil), 32-EDIP
Корпус	32-EDIP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DS1251W (NVSRAM)

Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кбит со скрытыми часами реального времени

Производитель:
Maxim

DS1251W datasheet
478 Кб