DS1265AB

Версия для печати

Технические характеристики DS1265AB

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Формат памяти	RAM
Тип памяти	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Объем памяти	8M (1M x 8)
Скорость	100ns
Интерфейс подключения	Parallel
Напряжение питания	4.75 V ~ 5.25 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Корпус (размер)	36-DIP Module (600 mil), 36-EDIP
Корпус	36-EDIP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DS1265AB (NVSRAM)

Энергонезависимая SRAM емкостью 8Мб

Производитель:
Maxim

DS1265AB datasheet
188.3 Кб