EV2A16AM
256k x 16 бит, 3.3 вольт, асинхронная магниторезистивная ram (mram) память
Версия для печати
Технические характеристики EV2A16AM
| Организация: Слов,K | 256 |
| Организация: Разрядов,бит | 16 |
| Время выборки,нс | 35 |
| VCC,В | от 3 до 3.6 |
| ICCR,мА | 55 |
| ICCW,мА | 105 |
| ICC Standby,мкА | 9 |
| TA,°C | от -55 до 125 |
| Корпус | TSOPII-44 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
EV2A16AM (MRAM)
256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память
Производитель:
e2v
|
