IDT71028
Асинхронная статическая память объемом 1мб (256кх4)
Версия для печати
Технические характеристики IDT71028
| Организация: Слов,K | 256 |
| Организация: Разрядов,бит | 4 |
| Время выборки,нс | 12 |
| Ток потребления: ICC,мА | 155 |
| Ток потребления: ICC Shutdown,мкА | 5 |
| VCC,В | от -40 до 85 |
| TA,°C | от 4.5 до 5.5 |
| Корпус | SOJ-28 (300mil) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IDT71028 (High Speed SRAM)
Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4)
Производитель:
IDT
|
