IDT71V416S

Версия для печати

Технические характеристики IDT71V416S

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Формат памяти	RAM
Тип памяти	SRAM
Объем памяти	4M (256K x 16)
Скорость	10ns
Интерфейс подключения	Parallel
Напряжение питания	3 V ~ 3.6 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Корпус (размер)	48-TFBGA
Корпус	48-CABGA (9x9)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IDT71V416S (High Speed SRAM)

Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В

Производитель:
IDT

IDT71V416S datasheet
482.8 Кб