IS61LV6416
Быстродействующее асинхронное статическое озу 64кx16 с напряжением питания 3.3в
Версия для печати
Технические характеристики IS61LV6416
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | SRAM - Asynchronous |
| Объем памяти | 1M (64K x 16) |
| Скорость | 10ns |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 3.135 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 48-TFBGA |
| Корпус | 48-miniBGA (6x8) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IS61LV6416 (High Speed SRAM)
Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кx16 с напряжением питания 3.3В
Производитель:
ISSI
|
