IS61NLP12832B

Версия для печати

Технические характеристики IS61NLP12832B

Организация: Слов,K	128
Организация: Разрядов,бит	32
Время выборки,нс	2.6
Ток потребления: ICC,мА	250
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА	750
VCC,В	от 2.7 до 3.6
TA,°C	от -40 до 85
Корпус	TQFP-100

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IS61NLP12832B (High Speed SRAM)

Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 128Кх32

Производитель:
ISSI

IS61NLP12832B datasheet
504.7 Кб