IS61NVF12836A

Версия для печати

Технические характеристики IS61NVF12836A

Организация: Слов,K	128
Организация: Разрядов,бит	36
Время выборки,нс	6.5
Ток потребления: ICC,мА	180
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА	750
VCC,В	от 2.375 до 2.75
TA,°C	от -40 до 85
Корпус	TQFP-100

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IS61NVF12836A (High Speed SRAM)

Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 128Кх36

Производитель:
ISSI

IS61NVF12836A datasheet
400.7 Кб