IS61NVF25672

Версия для печати

Технические характеристики IS61NVF25672

Организация: Слов,K	256
Организация: Разрядов,бит	72
Время выборки,нс	6.5
Ток потребления: ICC,мА	650
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА	125
VCC,В	от 2.375 до 2.75
TA,°C	от -40 до 85
Корпус	TQFP-100

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IS61NVF25672 (High Speed SRAM)

Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72

Производитель:
ISSI

IS61NVF25672 datasheet
253.5 Кб