IS61NVP12836B

Версия для печати

Технические характеристики IS61NVP12836B

Организация: Слов,K	128
Организация: Разрядов,бит	36
Время выборки,нс	2.6
Ток потребления: ICC,мА	250
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА	750
VCC,В	от 2.375 до 2.75
TA,°C	от -40 до 85
Корпус	TQFP-100

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IS61NVP12836B (High Speed SRAM)

Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 128Кх36

Производитель:
ISSI

IS61NVP12836B datasheet
504.7 Кб