IS61VPD51218A

Версия для печати

Технические характеристики IS61VPD51218A

Организация: Слов,K	512
Организация: Разрядов,бит	18
Время выборки,нс	2.6
Ток потребления: ICC,мА	275
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА	105
VCC,В	от 2.375 до 2.75
TA,°C	от -40 до 85
Корпус	TQFP-100

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IS61VPD51218A (High Speed SRAM)

Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх18

Производитель:
ISSI

IS61VPD51218A datasheet
312 Кб