IS61WV51216ALL

Версия для печати

Технические характеристики IS61WV51216ALL

Организация: Слов,K	512
Организация: Разрядов,бит	16
Время выборки,нс	20
Ток потребления: ICC,мА	100
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА	600
VCC,В	от 1.65 до 2.2
TA,°C	от -40 до 85
Корпус	BGA-48

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IS61WV51216ALL (High Speed SRAM)

Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16

Производитель:
ISSI

IS61WV51216ALL datasheet
237.1 Кб