IS61WV51232ALL

Версия для печати

Технические характеристики IS61WV51232ALL

Организация: Слов,K	512
Организация: Разрядов,бит	32
Время выборки,нс	20
Ток потребления: ICC,мА	60
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА	250
VCC,В	от 1.65 до 2.2
TA,°C	от -40 до 85
Корпус	BGA-90

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IS61WV51232ALL (High Speed SRAM)

Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кx32 с напряжением питания 3.3В

Производитель:
ISSI

IS61WV51232ALL datasheet
333.1 Кб