IS66WV51216ALL
Малопотребляющее статическое псевдо-озу 512кх16
Версия для печати
Технические характеристики IS66WV51216ALL
| Организация: Слов,K | 512 |
| Организация: Разрядов,бит | 16 |
| Время выборки,нс | 70 |
| Ток потребления: ICC,мА | 25 |
| Ток потребления: ICC Shutdown,мкА | 120 |
| VCC,В | от 1.7 до 1.95 |
| TA,°C | от -40 до 85 |
| Корпус | BGA-48 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IS66WV51216ALL (High Speed SRAM)
Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16
Производитель:
ISSI
|
