|
Сдвоенные контроллеры напряжения смещения мощных транзисторов со встроенной постоянной памятью Особенности:
- Встроенная постоянная память 4Кб EEPROM для хранения характеристик напряжения смещения
- Встроенный усилитель мощности с коэффициентом усиления 2, 10 или 25
- Точность задания напряжения ±0.75% в диапазоне от 75мВ до 1250мВ
- Максимальное напряжение регулируемого сигнала
- +100мВ при коэффициенте усиления 25
- +250мВ при коэффициенте усиления 10
- +1250мВ при коэффициенте усиления 2
- Рабочий диапазон выходного напряжения полевого транзистора от 5В до 32В
- Регулируемый диапазон напряжения смещения с низким уровнем шума от 0В до значения AVDD
- Ограничитель до значения AGND для защиты транзистора
- 12-разрядный ЦАП управления напряжением смещения в зависимости от температуры
- Встроенная схема контроля температуры
- Внешняя 2-х канальная схема измерения температуры с использованием диодов
- Встроенный 12-разрядный АЦП для измерения температуры, тока, напряжения
- Возможность выбора последовательного интерфейса
- 400КГц/1.7МГц/3.4МГц интерфейс I2C для управления установками и результатами измерения
- 16МГц интерфейс SPI-/MICROWIRE для управления установками и результатами измерения
|