MR1A16AV
Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память mram, объемом 128к х 16 бит
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Объем памяти | 2M (128K x 16) |
| Скорость | 35ns |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 3 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
| Корпус (размер) | 44-TSOP II |
| Корпус | 44-TSOP II |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MR1A16AV (MRAM) Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит
Производитель:
|
