MR2A08AM
Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память mram, объемом 512к х 8 бит
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Объем памяти | 4M (512K x 8) |
| Скорость | 35ns |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 3 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Корпус (размер) | 48-LFBGA |
| Корпус | 48-FBGA (8x8) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MR2A08AM (MRAM) Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит
Производитель:
|
 | СР50-157ФВ Соединители типа СР-50 для соединения байонетным или резьбовым способом радиочастотных трактов с волновым сопротивлением 50 Ом. Диапазон частот от 300... 110.40 руб Купить |
 | AM3T-1218D-RZ DC/DC преобразователь мощностью 3Вт, вход 9-18В, выход ±18В ±84мА. Rизол. 1.5кВ Купить |
 | CBB60 8UF 450V (К78-17) 175.00 руб Купить |
