R1LV0816ASD-7SI
8 мб sram (512к х 16бит/ 1м х 8бит) семейства advanced lpsram
Версия для печати
Технические характеристики R1LV0816ASD-7SI
| Организация: Слов,K | 512 |
| Организация: Разрядов,бит | 16 |
| Время выборки,нс | 70 |
| Ток потребления: ICC,мА | 20 |
| VCC,В | от 2.4 до 3.6 |
| TA,°C | от -40 до 85 |
| Корпус | ?TSOP-52 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
R1LV0816ASD-7SI (Low Power SRAM)
8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM
Производитель:
Renesas Technology
|
