| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
FSDM0565R |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FSDM0565R |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FSDM0565R |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W
|
|
|
165.36
|
|
|
|
|
FSDM0565R |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
FSDM0565R |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FSDM0565R |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
103
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
|
|
1 329.60
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC74HC125AN |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC74HC125AN |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MC74HC125AN |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 066
|
|
|
|
|
|
MC74HC125AN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
511
|
|
|
|
|
|
MPS650 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MPS650 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MPS650 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 803
|
|
|
|
|
|
MPS750 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MPS750 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MPS750 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MPS750 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
