|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC327-16 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 800MA, TO-92
|
|
|
5.64
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
3 144
|
2.00
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
13 884
|
2.83
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
15 986
|
2.89
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
46 846
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.96
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
15 904
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
4.92
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
189 898
|
1.45
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
2 400
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
|
|
61.44
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
29
|
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
1 188
|
24.64
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
22
|
35.32
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
VBSEMI
|
1
|
6.23
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TECH PUB
|
5 814
|
7.16
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
OLITECH
|
8 546
|
9.48
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
YOUTAI
|
79 129
|
3.97
|
|
|
|
TAJD107K016R |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ, 16 В, 10%
|
AVX
|
|
|
|
|
|
TAJD107K016R |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ, 16 В, 10%
|
AVX
|
|
|
|
|
|
TAJD107K016R |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ, 16 В, 10%
|
|
|
|
|
|
|
TAJD107K016R |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ, 16 В, 10%
|
ЧЕХИЯ
|
|
|
|
|
|
TAJD107K016R |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ, 16 В, 10%
|
ЧЕШСКАЯ РЕСПУБЛ
|
|
|
|