STTH5R06FP


Купить STTH5R06FP по цене 74.91 руб.  (без НДС 20%)
STTH5R06FP
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
STTH5R06FP (STMicroelectronics) 4 74.91 
STTH5R06FP (ST MICROELECTRONICS SEMI.) 304 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STTH5R06FP

Current - Reverse Leakage @ Vr20µA @ 600V
Current - Average Rectified (Io)5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.9V @ 5A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Diode TypeStandard
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)40ns
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-2 Isolated Full Pack
КорпусTO-220FP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    B013 МЕТАЛЛИЧ.     GAINTA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    B013 МЕТАЛЛИЧ.       Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LESHAN RADIO COMPANY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONS 26 331 3.48 
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)     4 014 2.24 
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LESHAN RADIO COMPANY, LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR 11 847 цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FUXIN 466 1.66 
>100 шт.   0.83 
HCPL4504-000E Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА   AVAGO Заказ радиодеталей цена радиодетали
HCPL4504-000E Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА   BRO/AVAG Заказ радиодеталей цена радиодетали
HCPL4504-000E Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА     2 325.08 
STW9N150 N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet   ST MICROELECTRONICS 140 380.86 
STW9N150 N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STW9N150 N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet     Заказ радиодеталей цена радиодетали
STW9N150 N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet     Заказ радиодеталей цена радиодетали
STW9N150 N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
STW9N150 N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet   ST MICROELECTRONICS SEMI 1 200 цена радиодетали
    VS-10ETF12-M3     VISHAY 1 896 124.42 
    VS-10ETF12-M3       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход