IRF7805ZTRPBF
N-канальный 30В 16А
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 16A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2080pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В | YAGEO | 216 879 | 1.07 | |
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В |
|
|
||
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В | YAGEO |
|
|
|
 |
|
ERJ-M1WSF10MU |
|
Panasonic - ECG |
|
|
||
|
|
|
ERJ-M1WSF10MU |
|
PAN |
|
|
||
|
|
|
ERJ-M1WSF10MU |
|
|
|
|||
 |
|
TDA7491P |
|
ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
TDA7491P |
|
ST1 |
|
|
||
|
|
|
TDA7491P |
|
|
|
|||
| КЕР.ЧИП КОНД. 0.01 МКФ 630В X7R 10% 1206 (10НФ), GRM31BR72J103K | MURATA |
|
|
|||||
| КЕР.ЧИП КОНД. 1000ПФ 50В,NP0, 5%, 0805 | ТАЙВАНЬ |
|
|
