SI7842DP-T1-E3


Купить SI7842DP-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI7842DP-T1-E3
Версия для печати

Технические характеристики SI7842DP-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 7.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6.3A
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs20nC @ 10V
Power - Max1.4W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SO-8
КорпусPowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход