| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BTA16-600B |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 619
|
50.00
|
|
|
|
|
BTA16-600B |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
|
4 942
|
30.50
|
|
|
|
|
BTA16-600B |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
BTA16-600B |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
BTA16-600B |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BTA16-600B |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
TOKMAS
|
4
|
54.19
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
70
|
430.70
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
528
|
417.61
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
5
|
414.20
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
|
|
139.20
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LG016M6800BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 6800 мкФ 16 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
LG016M6800BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 6800 мкФ 16 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
LG016M6800BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 6800 мкФ 16 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH035M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SH035M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH035M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
Версия для печати
