|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N4920 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4920 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
|
|
41.28
|
|
|
|
2N4920 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
ON SEMICONDUCTOR
|
3 992
|
|
|
|
|
2N4921 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4921 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
7 179
|
|
|
|
|
2N4922 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4922 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4923 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4923 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
|
|
55.32
|
|
|
|
2N4923 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4923 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N4923 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N5190 |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5191 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5191 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
59
|
|
|
|
|
2N5191 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2SC2594 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 40V, 5A, 10W, 150MHz
|
MATSUSHITA
|
8
|
58.65
|
|
|
|
2SC2594 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 40V, 5A, 10W, 150MHz
|
|
|
15.96
|
|
|
|
2SC2594 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 40V, 5A, 10W, 150MHz
|
Panasonic - SSG
|
|
|
|
|
|
2SC3807 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SC3807 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800
|
|
4
|
62.40
|
|
|
|
2SC3807 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SC3807 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SD1683 |
|
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SD1683 |
|
|
SAN
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
2 296
|
15.46
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
6 875
|
12.30
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
4 044
|
10.26
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
BD235 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD235 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BD235 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
148
|
|
|
|
|
BD235 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD235 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
|
|
29.56
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
9
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
HOTTECH
|
93
|
13.22
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
JSCJ
|
|
|
|
|
|
MJE243 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE243 |
|
|
|
|
111.80
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
|
1 564
|
26.25
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 200
|
92.50
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
18 444
|
30.00
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|