Версия для печати
Технические характеристики DSEK60-02A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 30A
Current - Reverse Leakage @ Vr	200µA @ 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	34A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Reverse Recovery Time (trr)	50ns
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Through Hole, Radial
Корпус (размер)	TO-247AD
Корпус	TO-247AD

DSEK 60 Common Cathode Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) Также в этом файле: DSEK60-02A, DSEK60-02AR Производитель: IXYS Corporation //www.ixys.com DSEK60-02A datasheet 59.31Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		B66367-G-X187		феррит N87ETD49			184.00
		B66367-G-X187		феррит N87ETD49	EPCOS
		B66367-G-X187		феррит N87ETD49	EPCS
		IR2110		PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2110		PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14			170.24
		IR2110		PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14	МЕКСИКА
		IR2110		PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14	INFINEON
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	VISHAY
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт		11	440.00
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	Vishay/Siliconix
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	КИТАЙ
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	INTERSIL
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	1
		SQP-10W56R (10ВТ,56 ,5%)
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		2 516	11.72
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	1 971	13.00
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ	54	19.19
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК	904	8.00
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	13.77
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 160	22.63

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"