Версия для печати
Технические характеристики DSEK60-02A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 30A
Current - Reverse Leakage @ Vr	200µA @ 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	34A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Reverse Recovery Time (trr)	50ns
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Through Hole, Radial
Корпус (размер)	TO-247AD
Корпус	TO-247AD

DSEK 60 Common Cathode Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) Также в этом файле: DSEK60-02A, DSEK60-02AR Производитель: IXYS Corporation //www.ixys.com DSEK60-02A datasheet 59.31Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		B66367-G-X187		феррит N87ETD49			184.00
		B66367-G-X187		феррит N87ETD49	EPCOS
		B66367-G-X187		феррит N87ETD49	EPCS
		MCP6001T-I/OT			MICRO CHIP	136	38.38
		MCP6001T-I/OT			Microchip Technology
		MCP6001T-I/OT				608	25.58
		MCP6001T-I/OT			MICRO CHIP
		MCP6001T-I/OT			FULIHAO TECH	4 720	18.70
		MCP6001T-I/OT			FULIHAO	10 396	17.46
		MCP6001T-I/OT			YOUTAI	5 546	9.65
		MURS240T3G			ON SEMICONDUCTOR
		MURS240T3G			ONS
		MURS240T3G				1 440	1.70
		MURS240T3G			ON SEMICONDUCTO
		MURS240T3G				1 440	1.70
		SQP-10W56R (10ВТ,56 ,5%)
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		1 308	11.38
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	1 971	13.00
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ	22	23.20
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК	600	8.00
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	13.77
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 320	46.25

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"