IRFB13N50A

Версия для печати

Технические характеристики IRFB13N50A

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 8.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	81nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1910pF @ 25V
Power - Max	250W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB13N50A (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFB13N50A datasheet
121.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFB20N50KPBF	N-Ch 500V 20A 280W 0,21R	VISHAY	352	275.52
IRFB20N50KPBF	N-Ch 500V 20A 280W 0,21R	Vishay/Siliconix
IRFB20N50KPBF	N-Ch 500V 20A 280W 0,21R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB20N50KPBF	N-Ch 500V 20A 280W 0,21R	VISHAY/IR
IRFB20N50KPBF	N-Ch 500V 20A 280W 0,21R
IRFB4019PBF	Транзистор N-канальный MOSFET 150V 17A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB4019PBF	Транзистор N-канальный MOSFET 150V 17A	INFINEON
IRFB4019PBF	Транзистор N-канальный MOSFET 150V 17A
IRFS11N50APBF	Hexfet® power mosfet	VISHAY
IRFS11N50APBF	Hexfet® power mosfet	Vishay/Siliconix
IRFS11N50APBF	Hexfet® power mosfet	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFS11N50APBF	Hexfet® power mosfet	SILICONIX
IRL3705NPBF	Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRL3705NPBF	Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)	INFINEON
IRL3705NPBF	Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)
IRS2092S		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRS2092S				988.00
IRS2092S		INFINEON