IRLML9303TR


IRLML9303TR (заказ)
IRLML9303TR

Технические характеристики IRLML9303TR

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs165 mOhm @ 2.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 10µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds160pF @ 25V
Power - Max1.25W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусMicro3™/SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru