BT139X-800.127

Триак 16A 800V 35mA

Версия для печати

Технические характеристики BT139X-800.127

Производитель	NXP
Количество в упаковке	50 шт.
Вес	2.458 г
Attachment Method	800 В
Cavity D	16 А
Conductor Diameter	1.6 В
Conductor Insulation	25 мА
Время включения	2 мкс
Корпус	TO-220F

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-C36.115		NXP
BZV55-C36.115		NEX-NXP	17 384	3.73
BZV55-C36.115
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JAMICON
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С			28.80
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JAM
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JB
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W		2	604.80
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER	204
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	ТАИЛАНД
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INFINEON
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	1
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	EVVO	2 400	14.11
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTOR
MJE13009G	Транзистор биполярный	ONS
MJE13009G	Транзистор биполярный			129.20
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTO
SPP02N60S5	6.0A 600В 3.0 Ом	INFINEON
SPP02N60S5	6.0A 600В 3.0 Ом			100.00
SPP02N60S5	6.0A 600В 3.0 Ом	Infineon Technologies
SPP02N60S5	6.0A 600В 3.0 Ом	INFINEON TECH